FQA6N90C介紹：

描述 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周

詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 900V 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN

類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET?

包裝     管件

零件狀態(tài) 在售

FET 類(lèi)型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 900V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 6A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.3 歐姆 @ 3A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 198W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-3PN

封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠(chǎng)IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

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無(wú)論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱(chēng)得起永久性器件的美名。晶體管是非常有優(yōu)勢(shì)的。

安森美半導(dǎo)體致力于推動(dòng)高能效創(chuàng)新，幫助客戶(hù)減少全球能源消耗。該公司是一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，其提供的全面產(chǎn)品組合包括高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、計(jì)時(shí)、連接、分立、SoC以及定制器件。?