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FLASH MT29F32G08CBADAWP:D TR 存儲(chǔ)器

發(fā)布時(shí)間:2018/4/19

MT29F32G08CBADAWP:D TR介紹;
描述 IC FLASH 32GBIT 48TSOP
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 3(168 小時(shí))
詳細(xì)描述 FLASH - NAND 存儲(chǔ)器 IC 32Gb (4G x 8) 并聯(lián) 48-TSOP
類別 集成電路(IC)
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 最後搶購
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NAND
存儲(chǔ)容量 32Gb (4G x 8)
寫周期時(shí)間 - 字,頁 -
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 48-TSOP
基本零件編號(hào) MT29F32G08

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地址:深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201室

構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)(按字節(jié)編址)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào),即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示2的20次方,即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié),則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1MB。