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分立半導體產品 bFQPF8N60CFT 晶體管

發(fā)布時間:2018/4/19

FQPF8N60CFT介紹;
描述 MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 32 周
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 6.26A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 FRFET??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 6.26A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1255pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 48W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.5 歐姆 @ 3.13A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220F
封裝/外殼 TO-220-3 整包


安富利(深圳)商貿有限公司介紹;

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晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限,將現有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計算技術界的一大突破。 [1]