存儲(chǔ)器 IS42S16400J-6TL 集成電路
發(fā)布時(shí)間：2018/9/26
LM22678TJ-5.0介紹：
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細(xì)描述 SDRAM 存儲(chǔ)器 IC 64Mb （4M x 16） 并聯(lián) 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 托盤
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM
存儲(chǔ)容量 64Mb （4M x 16）
時(shí)鐘頻率 166MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
訪問(wèn)時(shí)間 5.4ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 54-TSOP II
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當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí)，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號(hào)，該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號(hào)，也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖：(I) 汽車、(II) 通信、(III) 數(shù)字消費(fèi)、(IV) 工業(yè)/醫(yī)療。 高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM 是該公司的主打產(chǎn)品。
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