NTGD4167C介紹：

描述 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 30 周

詳細(xì)描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包裝    帶卷（TR）  

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 和 P 溝道

FET 功能 邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.6A，1.9A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V

功率 - 最大值 900mW

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝 6-TSOP

基本零件編號 NTGD4167C

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從目前的角度來看MOSFET的命名，事實(shí)上會讓人得到錯誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料

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