晶體管 - FET STF15N65M5 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/7/17
STF15N65M5介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 通孔 N 溝道 650V 11A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
復制
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 340 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 816pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來制造金氧半場效晶體管組件。當一個夠大的電位差施于金氧半場效晶體管的柵極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成所謂的“反轉溝道”（inversion channel）。
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