TK16J60W介紹：

描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）

類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSIV

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類(lèi)型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 15.8A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 7.9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 790μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 300V

FET 功能 超級(jí)結(jié)

功率耗散（最大值） 130W（Tc）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-3P（N）

封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)械方面，晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備，因?yàn)樗ǔＪ歉阋?、更有效地，僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫(xiě)計(jì)算機(jī)程序來(lái)完成同樣的機(jī)械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計(jì)一個(gè)等效的機(jī)械控制。因?yàn)榫w管的低成本和后來(lái)的電子計(jì)算機(jī)、數(shù)字化信息的浪潮來(lái)到了。