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晶體管 IXGH100N30C3 MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2018/7/3

IXGH100N30C3介紹：
描述 IGBT 300V 75A 460W TO247
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 24 周
詳細(xì)描述 IGBT PT 300V 75A 460W Through Hole TO-247AD (IXGH)
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 GenX3??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類(lèi)型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 300V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 500A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 1.85V @ 15V，100A
功率 - 最大值 460W
開(kāi)關(guān)能量 230μJ（開(kāi)），520μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 162nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 23ns/105ns
測(cè)試條件 200V，50A，2 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-247AD（IXGH）
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以金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）的命名來(lái)看，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個(gè)字母M，在當(dāng)下大部分同類(lèi)的組件里是不存在的。早期金氧半場(chǎng)效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的金氧半場(chǎng)效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。