晶體管 FGL35N120FTDTU MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/25
FGL35N120FTDTU介紹：
描述 IGBT 1200V 70A 368W TO264
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 44 周
詳細描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 105A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值 368W
開關(guān)能量 2.5mJ（開）， 1.7mJ（關(guān)）
輸入類型 標準
柵極電荷 210nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 34ns/172ns
測試條件 600V，35A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr） 337ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝 TO-264
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理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數(shù)伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優(yōu)勢得以發(fā)揮。
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