存儲器 IS46TR16128BL-125KBLA2-TR
發(fā)布時間：2018/6/19
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR介紹：
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細描述 SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 2Gb （128M x 16） 并聯(lián) 800MHz 20ns 96-TWBGA（9x13）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲容量 2Gb （128M x 16）
時鐘頻率 800MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ns
訪問時間 20ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 -40°C ~ 105°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-TWBGA（9x13）
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存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器。
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