BSS214NH6327XTSA1介紹：

描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.5A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 140 毫歐 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 3.7μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 0.8nC @ 5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 143pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-SOT23-3

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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從目前的角度來(lái)看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。