IXTP130N065T2 介紹：

描述 MOSFET N-CH 65V 130A TO-220

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 24 周

詳細描述 通孔 N 溝道 65V 130A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB

類別 分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 IXYS

系列 TrenchT2??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 65V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 130A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 79nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 250W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6.6 毫歐 @ 50A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

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晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。