IRFD310 介紹：

描述 MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周

詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 400V 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 400V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 350mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.6 歐姆 @ 210mA，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

所出的物料，絕對(duì)原裝正品！放心購買！

本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！                  

地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201

電話：0755-83259719

MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的首選，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。