SIHG70N60EF-GE3介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述 通孔 N 溝道 600V 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

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零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 70A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 380nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 520W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 35A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-247AC

封裝/外殼 TO-247-3

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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為了改善前述單一MOSFET開關造成訊號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關成為目前最普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統(tǒng)接法相同。