SI4920DY-T1-E3介紹： 
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 
制造商 Vishay Siliconix 
系列 TrenchFET? 
包裝 ? 帶卷（TR） ? 
零件狀態(tài) 停產(chǎn) 
FET 類(lèi)型 2 個(gè) N 溝道（雙） 
FET 功能 邏輯電平門(mén) 
漏源電壓（Vdss） 30V 
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） - 
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 6.9A，10V 
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最?。?nbsp;
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 5V 
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） - 
功率 - 最大值 2W 
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ） 
安裝類(lèi)型 表面貼裝 
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 
供應(yīng)商器件封裝 8-SO 
基本零件編號(hào) SI4920
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高。