ZVN1409ASTOA 介紹；

描述 MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 90V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 10mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 6.5pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 625mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 250 歐姆 @ 5mA，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 E-Line（TO-92 兼容）

封裝/外殼 E-Line-3

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2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)系列多核處理器的數(shù)以億計(jì)的45納米晶體管或微小開關(guān)中用來構(gòu)建絕緣“墻”和開關(guān)“門”，研發(fā)代碼Penryn。2010年11月，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的40納米工藝制造。2011年05月05 日：英特爾成功開發(fā)世界首個(gè)3D晶體管，稱為tri-Gate。除了英特爾將3D晶體管應(yīng)用于22納米工藝之后，三星，GlobalFoundries，臺(tái)積電和臺(tái)聯(lián)電都計(jì)劃將類似于Intel的3D晶體管技術(shù)應(yīng)用到14納米節(jié)點(diǎn)上 [3]  。