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SDRAM- MT41K256M16HA-125 AIT:E 存儲器

發(fā)布時間:2018/4/2

MT41K256M16HA-125 AIT:E 介紹;

描述 IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)

詳細(xì)描述 SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 4Gb (256M x 16) 并聯(lián) 800MHz 13.75ns 96-FBGA(9x14)

類別 集成電路(IC)

存儲器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包裝 ? 托盤 ?

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

存儲器類型 易失

存儲器格式 DRAM

技術(shù) SDRAM - DDR3L

存儲容量 4Gb (256M x 16)

時鐘頻率 800MHz

寫周期時間 - 字,頁 -

訪問時間 13.75ns

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V

工作溫度 -40°C ~ 95°C(TC)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 96-TFBGA

供應(yīng)商器件封裝 96-FBGA(9x14)

基本零件編號 MT41K256M16

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以存儲體(大量存儲單元組成的陣列)為核心,加上必要的地址譯碼、讀寫控制電路,即為存儲集成電路;再加上必要的I/O接口和一些額外的電路如存取策略管理,則形成存儲芯片,比如手機中常用的存儲芯片。得益于新的IC制造或芯片封裝工藝,現(xiàn)在已經(jīng)有能力把DRAM和FLASH存儲單元集成在單芯片里。存儲芯片再與控制芯片(負(fù)責(zé)復(fù)雜的存取控制、存儲管理、加密、與其他器件的配合等)及時鐘、電源等必要的組件集成在電路板上構(gòu)成整機,就是一個存儲產(chǎn)品,如U盤。從存儲單元(晶體管陣列)到存儲集成電路再到存儲設(shè)備,都是為了實現(xiàn)信息的存儲,區(qū)別是層次的不同。