晶體管 SI4850EY-T1-E3 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間:2018/10/25
SI4850EY-T1-E3介紹:
描述 MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 6A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 22 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.7W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等,晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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