晶體管 IXGA20N100 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/6/14
IXGA20N100介紹：
描述 IGBT 1000V 40A 150W TO263
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 IGBT PT 1000V 40A 150W Surface Mount TO-263 (IXGA)
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類(lèi)型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1000V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 80A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 3V @ 15V，20A
功率 - 最大值 150W
開(kāi)關(guān)能量 3.5mJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 73nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 30ns/350ns
測(cè)試條件 800V，20A，47 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 TO-263（IXGA）
基本零件編號(hào) IXG*20N100
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晶體管有三個(gè)極: 雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
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