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晶體管 SIHD7N60E-E3 半導體產品

發(fā)布時間:2018/6/11

SIHD7N60E-E3介紹:

描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 7A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 680pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 78W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 600 毫歐 @ 3.5A,10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 D-PAK(TO-252AA)

封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

安富利(深圳)商貿有限公司介紹:


公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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正因為晶體管的性能如此優(yōu)越,晶體管誕生之后,便被廣泛地應用于工農業(yè)生產、國防建設以及人們日常生活中。1953年,首批電池式的晶體管收音機一投放市場,就受到人們的熱烈歡迎,人們爭相購買這種收音機。接著,各廠家之間又展開了制造短波晶體管的競賽。