IRF630N介紹：

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 9.3 A

Rds On-漏源導通電阻: 300 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 23.3 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 82 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

高度: 15.65 mm  

長度: 10 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 4.4 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 4.9 S  

下降時間: 15 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 14 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 27 ns  

典型接通延遲時間: 7.9 ns  

零件號別名: SP001564792  

單位重量: 6 g  

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

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